0 Item(s)
0 Item(s)
Toshiba Semiconductor and Storage
| Part Number | TK8A10K3,S5Q | Producent | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Opis | MOSFET N-CH 100V 8A TO-220SIS | Stan ołowiu / status RoHS | Bezołowiowe / Zgodny z RoHS |
| dostępna ilość | 58786 pcs | Arkusz danych | TK8A10K3,S5Q.pdf |
| VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA | Vgs (maks.) | ±20V |
| Technologia | MOSFET (Metal Oxide) | Dostawca urządzeń Pakiet | TO-220SIS |
| Seria | U-MOSIV | RDS (Max) @ ID, Vgs | 120 mOhm @ 4A, 10V |
| Strata mocy (max) | 18W (Tc) | Opakowania | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack | Inne nazwy | TK8A10K3,S5Q(M TK8A10K3,S5Q,M TK8A10K3S5Q TK8A10K3S5QM TK8A10K3S5QM-ND |
| temperatura robocza | 150°C (TJ) | Rodzaj mocowania | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL) | 1 (Unlimited) | Status bezołowiowy / status RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds | 530pF @ 10V | Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs | 12.9nC @ 10V |
| Rodzaj FET | N-Channel | Cecha FET | - |
| Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Spust do źródła napięcia (Vdss) | 100V |
| szczegółowy opis | N-Channel 100V 8A (Ta) 18W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C | 8A (Ta) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Od 35,00 USD podstawowa opłata za wysyłkę zależy od strefy i kraju. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Od 35,00 USD podstawowa opłata za wysyłkę zależy od strefy i kraju. |
| UPS | www.UPS.com | Od 35,00 USD podstawowa opłata za wysyłkę zależy od strefy i kraju. |
| TNT | www.TNT.com | Od 35,00 USD podstawowa opłata za wysyłkę zależy od strefy i kraju. |
